報(bào)告題目：化學(xué)氣相沉積技術(shù)發(fā)展單晶石墨烯
報(bào)告地點(diǎn)：河北工業(yè)大學(xué)東院能源裝備材料技術(shù)研究院二樓報(bào)告廳（201）
報(bào)告時(shí)間：2016年7月12日（周二）上午10:00~11:30
報(bào)告人： 于慶凱教授
報(bào)告摘要：
由于石墨烯單晶薄膜是電子器件等應(yīng)用領(lǐng)域的理想材料，因此晶圓級(jí)單層石墨烯單晶的制備一直以來(lái)是研究熱點(diǎn)?；瘜W(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition）已經(jīng)被證明了是一種低成本制備高質(zhì)量石墨烯薄膜的技術(shù)。然而，現(xiàn)有的CVD技術(shù)只能制備出晶粒尺寸幾百微米的多晶石墨烯薄膜。在本次報(bào)告中，于教授將講述他在生長(zhǎng)晶圓級(jí)石墨烯單晶領(lǐng)域所做的貢獻(xiàn)，將證明通過(guò)在銅基體表面控制形核制備單晶石墨烯陣列的技術(shù)，同時(shí)開創(chuàng)了一種通過(guò)控制單核演變快速生長(zhǎng)為大尺寸單層石墨烯單晶的新方法。該方法通過(guò)在優(yōu)化成分的Cu–Ni合金表面局部控制碳前驅(qū)體，可在2.5小時(shí)內(nèi)生長(zhǎng)出尺寸達(dá)到1.5英寸的單層石墨烯單晶。局部供給可促使在整個(gè)基體表面形成單核，同時(shí)優(yōu)化的合金也促進(jìn)了等溫析出機(jī)制，這大大加快了石墨烯單晶的生長(zhǎng)速率。該技術(shù)為制備晶圓級(jí)單晶二維材料提供了新思路，具有重要的理論和應(yīng)用意義。
報(bào)告人簡(jiǎn)介：
于慶凱教授現(xiàn)就職于美國(guó)德州州立大學(xué)工程系，分別在西安交通大學(xué)，中國(guó)原子能科學(xué)研究院，美國(guó)密西根大學(xué)，美國(guó)休斯敦大學(xué)獲得學(xué)士（1996），碩士（1999/2001），博士學(xué)位（2006）。多年來(lái)從事材料的生長(zhǎng)、表征和器件研究，為石墨烯生長(zhǎng)領(lǐng)域的開拓者，最早提出并實(shí)踐了在銅表面用化學(xué)氣相沉積的方法生長(zhǎng)石墨烯，在鎳箔上生長(zhǎng)石墨烯的工作也被廣泛引用。先后在Nature Materials, Nature Nanotechnology, Nano Letters, Advanced Materials, ACS Nano, Applied Physics Letters等著名期刊發(fā)表學(xué)術(shù)文章50余篇，是20多個(gè)學(xué)術(shù)雜志的審稿人，擁有兩項(xiàng)美國(guó)專利，并主持多項(xiàng)美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金、能源部、國(guó)防部及工業(yè)界項(xiàng)目。
